| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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11年
留言
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MICROCHIP/微芯NA |
20000 |
25+ |
原装 |
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3年
留言
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VISHAYSOIC-8 |
12880 |
25+ |
原装,诚信经营 |
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2年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
18000 |
26+ |
原装正品,可配单,支持实单 |
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6年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
18000 |
26+ |
原装现货,原厂渠道价格优势 |
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10年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
98900 |
25+ |
原厂原装正品现货!! |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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9年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
2500 |
23+ |
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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
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5年
留言
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VISHAYSOP-8 |
15258 |
25+ |
原装现货库存QQ:373621633 3616872778 |
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5年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
28000 |
26+ |
公司只做原装正品 |
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7年
留言
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Vishay(威世)SO-8 |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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4年
留言
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VISHAYSOP |
8500 |
24+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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13年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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16年
留言
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FAIRCHILSOP8 |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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13年
留言
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VISHAYSOP8 |
5620 |
26+ |
全新原装现货,欢迎询购!! |
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15年
留言
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Vishay(威世)SO-8 |
8302 |
2602+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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8年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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18年
留言
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FAIRCHILDSOP8 |
2300 |
04+ |
全新原装绝对自己公司现货 |
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15年
留言
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VISHAYN/A |
10000 |
24+ |
只做原装,实单最低价支持 |
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4年
留言
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VISHAYSOIC-8 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
SI9945采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI9945图片
SI9945BDY-T1-GE3价格
SI9945BDY-T1-GE3价格：￥1.6826品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI9945BDY-T1-GE3多少钱，想知道SI9945BDY-T1-GE3价格是多少？参考价：￥1.6826。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI9945BDY-T1-GE3批发价格及采购报价，SI9945BDY-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI9945BDY-T1-GE3报价。
SI9945BDY-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI9945AEY功能描述:MOSFET 60V 3.7A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9945AEY-E3功能描述:MOSFET 60V 3.7A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9945AEY-T1功能描述:MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9945AEY-T1-E3功能描述:MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9945AEY-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 3.7A 2.4W 80mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9945BDY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 60-V(D-S) MOSFET
SI9945BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9945DY功能描述:MOSFET SO8 DUAL NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
