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深圳飞弛宏科技有限公司

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深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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VISHAY/威世SOP8

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深圳市中联芯电子有限公司

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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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UMW 友台SOP-8

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深圳市豪迈兴电子有限公司

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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FAIRCHILSOP8

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芯有半导体（深圳）有限公司

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VISHAY/威世SOP-8

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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VISHAY/威世SOP-8

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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SI9945BDY-T1-GE3价格：￥1.6826品牌：Vishay

生产厂家品牌为Vishay的SI9945BDY-T1-GE3多少钱，想知道SI9945BDY-T1-GE3价格是多少？参考价：￥1.6826。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI9945BDY-T1-GE3批发价格及采购报价，SI9945BDY-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI9945BDY-T1-GE3报价。

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SI9945AEY功能描述:MOSFET 60V 3.7A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI9945AEY-E3功能描述:MOSFET 60V 3.7A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI9945AEY-T1功能描述:MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI9945AEY-T1-E3功能描述:MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI9945AEY-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 3.7A 2.4W 80mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI9945BDY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 60-V(D-S) MOSFET

SI9945BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI9945DY功能描述:MOSFET SO8 DUAL NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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