| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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98900 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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61927 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
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SOP |
28106 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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UMW(广东友台半导体)SOP-8 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
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SHARPSOP8 |
257000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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Vishay(威世)SO-8 |
8302 |
2305+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司7年
留言
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VISHAYSOP-8 |
20 |
23+ |
只做原装全系列供应价格优势 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP-8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
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VISHAYSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
22364 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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UMW 友台SOP-8 |
18000 |
23+ |
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原装正品，实单请联系 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAYSOP8 |
5000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOP8 |
18574 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
30000 |
22+ |
只做原装正品 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
SI9945采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI9945图片
SI9945BDY-T1-GE3价格
SI9945BDY-T1-GE3价格：￥1.6826品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI9945BDY-T1-GE3多少钱，想知道SI9945BDY-T1-GE3价格是多少？参考价：￥1.6826。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI9945BDY-T1-GE3批发价格及采购报价，SI9945BDY-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI9945BDY-T1-GE3报价。
SI9945DY-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI9945AEY功能描述:MOSFET 60V 3.7A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9945AEY-E3功能描述:MOSFET 60V 3.7A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9945AEY-T1功能描述:MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9945AEY-T1-E3功能描述:MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9945AEY-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 3.7A 2.4W 80mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9945BDY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 60-V(D-S) MOSFET
SI9945BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9945DY功能描述:MOSFET SO8 DUAL NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
