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SI9926BDY	文件：182.97 Kbytes Page：3 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET DESCRIPTION The attached spice model describes the typical electrical characteristics of the n-channel vertical DMOS. The subcircuit model is extracted and optimized over the −55 to 125°C temperature ranges under the pulsed 0 to 5V gate drive. The saturated output impedance is best 文件：182.97 Kbytes 页数：3 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI9926BDY	文件：109.92 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFETS • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：109.92 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI9926BDY_V01	文件：109.92 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFETS • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：109.92 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI9926BDY	文件：251.13 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 文件：251.13 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI9926BDY	文件：499.88 Kbytes Page：2 Pages	Dual N-Channel MOSFET 文件：499.88 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
SI9926BDY-HF	文件：525.24 Kbytes Page：2 Pages	Dual N-Channel MOSFET 文件：525.24 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
SI9926BDY-T1-E3	文件：251.13 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 文件：251.13 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI9926BDY-T1-E3	文件：985.9 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：985.9 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
Si9926BDY	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
SI9926B
功能描述：
MOSFET NCH DUAL MOSFET 2.5V(G-S)
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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