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SI8902AEDB-T2-E1

N-Channel 24 V (D-S) MOSFET, Common Drain

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Small 2.4 mm x 1.6 mm outline • Thin 0.6 mm max. height • Typical ESD protection 5000 V (HBM) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Battery protection switch • Bi-directional switch

文件:251.98 Kbytes 页数:11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI9112DY-T1-E3

14-SOIC

VishayVishay Siliconix

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SI9183DT-AD-T1

SOT153

VishayVishay Siliconix

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SI9241AEY

SOP8

VISHAY/威世

SI9241AEY-T1

SOP8

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上传:深圳安世裕电子科技有限公司

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更多SI8902AEDB-T2-E1供应商 更新时间2025-12-5 16:12:00