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SI8902AEDB-T2-E1	文件：251.98 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel 24 V (D-S) MOSFET, Common Drain FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Small2.4mmx1.6mmoutline •Thin0.6mmmax.height •TypicalESDprotection5000V(HBM) •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Batteryprotectionswitch •Bi-directionalswitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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SI8902AEDB-T2-E1

文件：251.98 Kbytes

Page：11 Pages

N-Channel 24 V (D-S) MOSFET, Common Drain

FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Small2.4mmx1.6mmoutline •Thin0.6mmmax.height •TypicalESDprotection5000V(HBM) •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Batteryprotectionswitch •Bi-directionalswitch

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

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