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SI8902AEDB-T2-E1中文资料威世科技数据手册PDF规格书

SI8902AEDB-T2-E1
厂商型号

SI8902AEDB-T2-E1

功能描述

N-Channel 24 V (D-S) MOSFET, Common Drain

文件大小

251.98 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-23 16:09:00

SI8902AEDB-T2-E1规格书详情

FEATURES

• TrenchFET® power MOSFET

• Small 2.4 mm x 1.6 mm outline

• Thin 0.6 mm max. height

• Typical ESD protection 5000 V (HBM)

• Material categorization: for definitions of

compliance please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

• Battery protection switch

• Bi-directional switch

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