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详细参数

  • 型号:

    SI8821EDB-T2-E1

  • 功能描述:

    MOSFET -30V 128mOhm@4.5V -2.3A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 晶体管极性:

    P-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    30 V

  • 闸/源击穿电压:

    +/- 12 V

  • 漏极连续电流:

    2.3 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    128 mOhms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    MicroFoot-4

  • 封装:

    Reel

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更多SI8821EDB-T2-E1供应商 更新时间2026-1-31 13:26:00