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SI8800EDB-T2-E1

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:126.74 Kbytes 页数:8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI8802DB-T2-E1

VishayVishay Siliconix

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SI9112DY-T1-E3

14-SOIC

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上传:深圳市佳斯泰科技有限公司

SI9183DT-AD-T1

SOT153

VishayVishay Siliconix

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上传:深圳市粤科源兴科技有限公司

SI9241AEY

SOP8

VISHAY/威世

详细参数

  • 型号:

    SI8800EDB-T2-E1

  • 功能描述:

    MOSFET 20Volt N-Channel Micro Foot-4

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI8800EDB-T2-E1供应商 更新时间2025-12-7 11:04:00