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详细参数
- 型号:
SI8406DB-T2-E1
- 功能描述:
MOSFET 20V 16A 13W 33mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
UFBGA6 |
32360 |
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Vishay |
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VISHAY(威世) |
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SILICONIXVISHAY |
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VISHAY |
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21+ |
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VISHAY |
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UFBGA6 |
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6-UFBGA |
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SILICON |
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SMD |
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更新时间2026-4-17 18:03:00
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