选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYBGA |
24000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)SI8401DB-T1-E3 |
59764 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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SHARPBGA4 |
257000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Vishay Siliconix4-Microfoot |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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VISHAYBGA |
12000 |
23+ |
全新原装,优势现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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VISHAY4MFP |
6528 |
2016+ |
只做原装正品现货!或订货!假一赔十! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世BGA |
1100 |
11+ |
向鸿原装正品/代理渠道/现货优势 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85500 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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VISHAYBGA4 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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VISHAYBGA |
50000 |
23+ |
只做原装正品 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYBGA |
3000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Vishay Siliconix4-Microfoot |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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VISHAYna |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世4MFP |
8160 |
23+ |
原厂原装 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYMFP4 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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SILISO-23 |
2789 |
22+ |
全新原装自家现货!价格优势! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世BGA-4 |
3000 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
留言
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VISHAY/威世SMD |
6000 |
23+ |
只有原装正品,老板发话合适就出 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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VISHAYBGA-4 |
5106 |
22+ |
只做原装,支持实单,来电咨询。 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世4-MICROFOOT |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
SI8401DB-T采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI8401DB-T图片
SI8401DB-T1-E1价格
SI8401DB-T1-E1价格:¥3.0707品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI8401DB-T1-E1多少钱,想知道SI8401DB-T1-E1价格是多少?参考价:¥3.0707。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI8401DB-T1-E1批发价格及采购报价,SI8401DB-T1-E1销售排行榜及行情走势,SI8401DB-T1-E1报价。
SI8401DB-T1-E1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI8401DB-T1功能描述:MOSFET 20V 4.9A 1.47W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI8401DB-T1-E1功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI8401DB-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube