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SI8401DB-T1-E3中文资料威世数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
SI8401DB-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2016+ |
BGA |
3000 |
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VISHAY |
08+ |
MICROFOOT-4 |
21000 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
86 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
BGA |
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VISHAY/威世 |
25+ |
BGA4 |
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VISHAY |
23+ |
BGA |
50000 |
只做原装正品 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
4MFP |
8160 |
原厂原装 |
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SILICONIX |
23+ |
NA |
18255 |
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VISHAY |
06+ |
SMD |
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Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
询价 |
