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SI7860DP-T1-GE3_VBSEMI/微碧半导体_MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V金华微盛电

图片仅供参考，请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号：

    SI7860DP-T1-GE3

  • 产品分类：

    芯片

  • 生产厂商：

    VBSEMI

  • 库存数量：

    12000

  • 产品封装：

    QFN8

  • 生产批号：

    19+

  • 库存类型：

    热卖库存

  • 更新时间：

    2025-8-1 16:04:00

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原厂料号：SI7860DP-T1-GE3品牌：VBSEMI

  • 芯片型号：

    SI7860DP-T1-GE3

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    VBSEMI【微碧半导体】详情

  • 厂商全称：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名称：

    微碧半导体（台湾）有限公司

  • 资料说明：

    MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    SI7860DP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

供应商

  • 企业：

    深圳市金华微盛电子有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    柯小姐 13510157626

  • 手机：

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