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深圳市华睿芯科技有限公司

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深圳市卓越微芯电子有限公司

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深圳市卓越微芯电子有限公司

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深圳市金睿扬电子科技有限公司

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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深圳市华斯顿科技有限公司

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深圳市中联芯电子有限公司

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SI7856ADP-T1功能描述:MOSFET 30V 25A 1.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7856ADP-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 25A 5.4W 3.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7856ADP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 25A 5.4W 3.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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