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SI7856DP-T1-GE3

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VISHAY/威世原装正品SI7856DP-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市华斯顿科技有限公司

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SI7856ADP-T1功能描述:MOSFET 30V 25A 1.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7856ADP-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 25A 5.4W 3.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7856ADP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 25A 5.4W 3.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7856DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET

SI7856DP-T1制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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