| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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59303 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAY/威世POWERPAKSO-8 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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原装NA |
39213 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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VISHAY(威PowerPAK |
20000 |
23+ |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世POWERPAKSO-8 |
9120 |
24+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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VISHAY/威世23+ |
16500 |
2021+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)PowerPAK-SO-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世POWERPAKSO-8 |
520 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世PPAKSO-8 |
6378 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
20000 |
23+ |
原厂原装,正品现货,假一罚十 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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VISHAYNA |
6800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
5980 |
2021+ |
只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世POWERPAKSO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
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VISHAY威世半导体SO-8 |
15000 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYPOWERPAKS |
8163 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
90000 |
2020+ |
原装现货/假一罚十/可开增票 |
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深圳硅原半导体有限公司7年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
25871 |
诚心经营 原盒原标 正品现货 价格美丽假一罚十 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)PowerPAK SO-8 |
59031 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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SI7850DP-T1-E3价格
SI7850DP-T1-E3价格：￥2.4229品牌：VISHAY
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SI7850DP-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7850DP制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8
SI7850DP_09制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V(D-S) Fast Switching MOSFET
SI7850DP-T1功能描述:MOSFET 60V 10.3A 4.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7850DP-T1-E3功能描述:MOSFET 60V 10.3A 4.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7850DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 10.3A 4.5W 22mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
