| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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1年
留言
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NK/南科功率DFN5X6 |
36520 |
9420 |
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国产南科平替供应大量 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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13年
留言
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VISHAYQFN |
51000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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4年
留言
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VISHAYQFN |
8540 |
2430+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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6年
留言
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VISHAY/威世QFN |
14459 |
09+10+ |
原装进口无铅现货 |
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12年
留言
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VISHAY/威世QFN |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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VISHAY/威世QFM8 |
2760 |
25+ |
绝对原装公司现货!17年VIP信誉保证! |
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7年
留言
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VISHAY/威世QFN |
2409 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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7年
留言
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VISHAY/威世QFN |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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12年
留言
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VISHAY(威世)POWERPAK SO-8 |
5204 |
全新原装正品现货可开票 |
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3年
留言
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TI/德州仪器SOP8 |
8800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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12年
留言
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威世QFN8 |
9500 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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5年
留言
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SILLP |
26200 |
25+ |
原装现货,诚信经营! |
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3年
留言
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VISHAY/威世QFN |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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12年
留言
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VISHAYQFN8 |
18600 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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1年
留言
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VISHAYQFN |
1538 |
0927+ |
上传都是百分之百进口原装现货 |
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8年
留言
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VISHAYPOWERPAK |
53000 |
24+ |
绝对原装正品现货假一罚十 |
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SISOP |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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15年
留言
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VISHAY/威世PowerPAKSO-8 |
20300 |
25+ |
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VISHAY/威世原装特价SI7686DP-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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13年
留言
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VISHAYQFN8 |
3000 |
2016+ |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
SI768采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI768图片
SI7686DP-T1-E3价格
SI7686DP-T1-E3价格:¥2.3556品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI7686DP-T1-E3多少钱,想知道SI7686DP-T1-E3价格是多少?参考价:¥2.3556。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI7686DP-T1-E3批发价格及采购报价,SI7686DP-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI7686DP-T1-E3报价。
SI7686DP-T1-E3资讯
SI7686DP-T1-E3
SI7686DP-T1-E3绝对原装进口现货可开17%增值税发票
SI7686DP-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7682DP-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 20A 27.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7682DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7684DP-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 20A 27.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7684DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7686DP-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7686DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
































