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深圳市南科功率半导体有限公司

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SI7686DP-T1-GE330V9.5MR

NK/南科功率DFN5X6

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国产南科平替供应大量

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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SI7686DP-T1-GE3

VISHAYN/A

70000

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柒号只做原装 现货价秒杀全网

深圳市凌旭科技有限公司

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VISHAYQFN

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2016+

只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

深圳市科恒伟业电子有限公司

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VISHAYQFN

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深圳市星宇佳科技有限公司

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VISHAY/威世QFN

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原装进口无铅现货

深圳市科恒伟业电子有限公司

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VISHAY/威世QFN

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深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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VISHAY/威世QFM8

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深圳市坤融电子科技有限公司

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VISHAY/威世QFN

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原装进口价格优 请找坤融电子!

深圳市金华微盛电子有限公司

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VISHAY/威世QFN

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原盒原包装 可BOM配套

深圳市勤思达科技有限公司

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VISHAY(威世)POWERPAK SO-8

5204

全新原装正品现货可开票

深圳市昂芯微科技有限公司

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TI/德州仪器SOP8

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深圳市卓越微芯电子有限公司

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威世QFN8

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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市科达星科技有限公司

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SI7686

SILLP

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原装现货,诚信经营!

深圳市创新迹电子有限公司

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VISHAY/威世QFN

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深圳市卓越微芯电子有限公司

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深圳市天地昆电子有限公司

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VISHAYQFN

1538

0927+

上传都是百分之百进口原装现货

瀚佳科技(深圳)有限公司

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VISHAYPOWERPAK

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绝对原装正品现货假一罚十

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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SISOP

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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO

中天科工半导体(深圳)有限公司

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SI7686DP-T1-E3

VISHAY/威世PowerPAKSO-8

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VISHAYQFN8

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SI7686DP-T1-E3价格:¥2.3556品牌:Vishay

生产厂家品牌为Vishay的SI7686DP-T1-E3多少钱,想知道SI7686DP-T1-E3价格是多少?参考价:¥2.3556。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI7686DP-T1-E3批发价格及采购报价,SI7686DP-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI7686DP-T1-E3报价。

SI7686DP-T1-E3资讯

SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3绝对原装进口现货可开17%增值税发票

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SI7682DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7684DP-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 20A 27.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7684DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7686DP-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7686DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube