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SI7634BDP-T1-GE3中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
SI7634BDP-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 30V 40A 48W 5.4mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
QFN8 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN8 |
3000 |
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VISHAY/威世 |
新年份 |
DFN56 |
64540 |
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VISHAY |
24+ |
SO-8 |
80000 |
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VISHAY |
20+ |
DFN-8 |
3675 |
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VISHAY |
10+ |
PPAK8 |
900 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
VISHAY |
09+PBF |
QFN8 |
100 |
现货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2402+ |
PPAK-8SO |
8324 |
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VISHAY(威世) |
24+ |
SOP-8 |
9908 |
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询价 | ||
VISHAY |
22+23+ |
DFN8 |
8000 |
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