首页>SI7625DN-T1-GE3>规格书详情
SI7625DN-T1-GE3中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
SI7625DN-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET -30V 7mOhm@10V 35A P-Ch G-III
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
VISHAY |
2016+ |
QFN |
14350 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
QFN |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
原装 |
24+ |
标准 |
39586 |
热卖原装进口 |
询价 | ||
VISHAY |
16+ |
QFN |
13 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
DFN3X3-8 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
PowerPAK 1 |
12000 |
原装 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
QFN8 |
65400 |
询价 | |||
VISHAY |
1735+ |
QFN |
6528 |
科恒伟业!只做原装正品!假一赔十! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN |
30000 |
原装现货,假一赔十. |
询价 |
