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SI7615ADN-T1-GE3中文资料威世科技数据手册PDF规格书

SI7615ADN-T1-GE3
厂商型号

SI7615ADN-T1-GE3

功能描述

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件大小

600.59 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
VISHAY
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:22:00

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产品属性

  • 型号:

    SI7615ADN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET -20V 4.4mOhm@10V 35A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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