| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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10年
留言
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VISHAY/威世PAK1212-8 |
6377 |
24+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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1年
留言
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NK/南科功率DFN3X3-8 |
36520 |
9420 |
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国产南科平替供应大量 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
留言
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VISHAY/威世PowerPAK-1212-8 |
6000 |
17+ |
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8年
留言
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VISHAY/威世PAK1212-8 |
20000 |
24+ |
原厂原装,正品现货,假一罚十 |
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4年
留言
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VISHAYPAK1212-8 |
8575 |
2550+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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7年
留言
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VISHAYQFN |
15000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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10年
留言
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VISHAY/威世PAK1212-8 |
33500 |
25+ |
全新进口原装现货,假一罚十 |
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12年
留言
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VISHAYPPAK1212-8 |
15000 |
25+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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3年
留言
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VISHAYNA |
6800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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14年
留言
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Vishay(威世)PowerPAK? 1212-8 |
8810 |
24+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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1年
留言
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VISHAY/威世PAK1212-8 |
1227 |
24+25+ |
原装现货实单必成 |
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13年
留言
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VISHAYQFN |
8300 |
24+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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3年
留言
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VISHAY/威世PAK1212-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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13年
留言
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SHARPQFN8 |
257000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
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3年
留言
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VISHAYQFN |
2693 |
23+ |
原厂原装正品 |
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2年
留言
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VISHAYPAK1212-8 |
5000 |
24+ |
全新原装,特价出售,欢迎垂询! |
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4年
留言
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VISHAY(威世)N/A |
23500 |
23+ |
最新到货,只做原装进口 |
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13年
留言
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VISHAY/威世PAK1212-8 |
9865 |
23+/24+ |
原装正品,专业分销中高压MOS管 |
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2年
留言
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VISHAY/威世PAK1212-8 |
25903 |
2020+ |
原装优势库存，有意请来电或QQ微信沟通。 |
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SI7615图片
SI7615ADN-T1-GE3价格
SI7615ADN-T1-GE3价格：￥1.6266品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI7615ADN-T1-GE3多少钱，想知道SI7615ADN-T1-GE3价格是多少？参考价：￥1.6266。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI7615ADN-T1-GE3批发价格及采购报价，SI7615ADN-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI7615ADN-T1-GE3报价。
SI7615ADN-T1-GE3资讯
SI7615ADN-T1-GE3 全新原装现货，假一赔十
新到现货SI7615ADN-T1-GE3 100K VISHAY QFN8 有需要请来电来函咨询。顺祝商祺！ 深圳市多凯达科技有限公司 联系人：肖先生 电话：0755-82735997 传真：0755-82735887 地址：广东省深圳市福田区华强北路华强广场B座10F
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SI7615ADN-T1-GE3 品牌：VISHAY 封装：PAK1212-8 批号：1501 数量：100000 PCS 说明： 全新原装，公司现货，特价销售，支持原厂全线订货。全系列可订货！ 肖先生 15818643355 0755-82709997 QQ 362444745
SI7615ADN-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7615ADN-T1-GE3功能描述:MOSFET -20V 4.4mOhm@10V 35A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7615DN制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
SI7615DN-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 35A 52W 3.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
