Si7613DN中文资料P-Channel 20-V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
技术参数
- 型号：
SI7613DN
- 功能描述：
MOSFET 20V 35A 52.1W 8.7mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
PowerPAK-1212-8 |
6000 |
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VISHAY |
1801 |
DFN |
64 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
DFN3X3-8 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
DFN1212-8 |
20300 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
PowerPAK1212-8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
PowerPAK-1212-8 |
30000 |
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询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
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Vishay(威世) |
24+ |
PowerPAK 12128 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
PowerPAK-1212-8 |
5980 |
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询价 |
