Si7611DN数据手册Vishay中文资料规格书
技术参数
- 型号：
SI7611DN
- 功能描述：
MOSFET 40V 18A 39W 25mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
7350 |
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询价 | ||
SI |
24+ |
NA/ |
3387 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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Vishay |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
DFN |
20300 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
PowerPAK-1212-8 |
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VISHAY/威世 |
16+ |
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Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
询价 | |||
VISHAY |
23+ |
QFN |
1006 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
PowerPAK-1212-8 |
130000 |
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询价 |
