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VISHAYQFN

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深圳市金华微盛电子有限公司

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瀚佳科技(深圳)有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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标准国际(香港)有限公司

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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SI7392

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SI7392

VISHAY/威世QFN8

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SI7392

3000

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自己现货

深圳市豪迈兴电子有限公司

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SI7392

nn

6232

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公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!

深圳市威雅利发展有限公司

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SI7392

N/ATSSOP-14

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深圳市弘为电子有限公司

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SI7392

242

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京海半导体(深圳)有限公司

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SI7392

N/ANA

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SI7392DY-T1

VISHAY/威世QFN

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深圳市安富世纪电子有限公司

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SI7392DP低压MOS管

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SI7392DP

VISHAYQFN5*6

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SI7392DP-T1-E3

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SI7392ADP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET

SI7392ADP-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 30A 27.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7392ADP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 30A 27.5W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7392DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET

SI7392DP-T1功能描述:MOSFET 30V 15A 1.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7392DP-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 15A 1.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7392DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 15A 5.0W 9.75mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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