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SI7252ADP	文件：268.15 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • PWM optimized • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • System power DC/DC 文件：268.15 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI7252ADP-T1-GE3	文件：268.15 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • PWM optimized • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • System power DC/DC 文件：268.15 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
Si7252ADP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET • TrenchFET® power MOSFET\n• 100 % Rg and UIS tested;	Vishay 威世	Vishay
SI7252DP	文件：346.93 Kbytes Page：13 Pages	Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：346.93 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI7252DP	文件：523.2 Kbytes Page：13 Pages	Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：523.2 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI7252DP	文件：382 Kbytes Page：13 Pages	Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Primary side switching • Synchronous rectification • DC/AC inverters 文件：382 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

技术参数

Package：
PowerPAK SO-8
Ch：
N
VDS (V)：
100
VGS (V)：
20
RDS(on)@7.5V (Ω)：
0.0225
RDS(on)@10V (Ω)：
0.0186
Qg @10V (nC)：
17.4
Qgs (nC)：
7.1
Qgd (nC)：
2.3
ID Max. (A)：
28.7
PD Max. (W)：
33.8
VGS(th) Min. (V)：
2
Rg Typ. (Ω)：
0.75

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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