Si7139DP中文资料P-Channel 30 V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
技术参数
- 型号：
SI7139DP
- 功能描述：
MOSFET 30V 40A P-CH MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
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VISHAY/威世 |
25+ |
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VISHAY/威世 |
24+ |
QFN |
990000 |
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VISHAY |
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QFN |
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VISHAY |
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QFN |
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VISHAY |
24+ |
TSSOP |
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VISHAY/威世 |
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SO-8 |
20300 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
PowerPAKSO-8 |
986966 |
国产 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
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询价 |
