选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
5065 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISQFN8 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
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VISHAYQFN8 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
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VISHAYQFN8 |
5165 |
21+ |
全新原装 实单必成 |
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海芯未来半导体电子(深圳)有限公司2年
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VISHAYQFN8 |
8299 |
2222+ |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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VISHAYQFN8 |
5065 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
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VISHAYQFN8 |
5065 |
21+ |
只做原装,也只有原装! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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VISHAY/威世QFN8 |
5065 |
23+ |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISQFN8 |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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VISHAYQFN8 |
8299 |
2222+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VISHAYQFN8 |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
37860 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
5065 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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SIQFN-8 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市九方航科技有限公司3年
留言
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VISQFN8 |
29600 |
19+ |
绝对原装现货,价格优势! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYQFN |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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VISHAYna |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
3750 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
SI7136DP采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI7136DP图片
SI7136DP-T1-E3价格
SI7136DP-T1-E3价格:¥10.0987品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI7136DP-T1-E3多少钱,想知道SI7136DP-T1-E3价格是多少?参考价:¥10.0987。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI7136DP-T1-E3批发价格及采购报价,SI7136DP-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI7136DP-T1-E3报价。
SI7136DP-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7136DP制造商:VAISH 制造商全称:VAISH 功能描述:N-Channel 20-V(D-S) MOSFET
SI7136DP-RC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:R-C Thermal Model Parameters
SI7136DP-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 30A 39W 3.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7136DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 30A 39W 3.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube