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SI7129DN-T1-GE3中文资料威世数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
SI7129DN-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 30V 35A 52.1W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
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VISHAY/威世 |
11+ |
QFN-8 |
18 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
QFN-8 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2511 |
DFN3.3*3.3 |
360000 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
POWERPAK1212-8 |
9000 |
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VISHAY/威世 |
新年份 |
DFN3*3 |
33288 |
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CCSEMI/芯能圆 |
23+ |
QFN3X3-8 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
QFN |
15620 |
VISHAY/威世全新特价SI7129DN-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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VISHAY |
24+ |
PAK1212-8 |
48000 |
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