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SI7120DN-T1-E3规格书详情
FEATURES
• Halogen-free Option Available
• TrenchFET® Power MOSFET
• New Low Thermal Resistance
• PowerPAK® 1212-8 Package with Low 1.07 mm Profile
• 100 Rg Tested
APPLICATIONS
• Primary Side Switch
• Synchronous Rectification
产品属性
- 型号：
SI7120DN-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 60V 10A 0.019Ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3340 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
QFN8 |
80000 |
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询价 | ||
VISHAY |
20+ |
na |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
VISHAY |
ROHS+Original |
NA |
1782 |
专业电子元器件供应链/QQ 350053121 /正纳电子 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
NA |
1782 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理QQ1304306553 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
DFN |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
VISHAY |
25+23+ |
QFN |
27597 |
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VISHAY |
23+ |
QFN8 |
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VISHAY/威世 |
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PAK1212-8 |
25000 |
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VISHAY/SILICONIX |
24+ |
3512 |
询价 |
