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SI7116BDN

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • Very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency • Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI7116DN

N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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威世威世科技公司

SI7116DN_V01

N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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SI7116DN-T1-E3

N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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Si7116BDN

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

Vishay

威世

Si7116DN

N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET

Vishay

威世

技术参数

  • Package:

    PowerPAK 1212-8PT

  • Ch:

    N

  • VDS (V):

    40

  • VGS (V):

    20

  • RDS(on)@4.5V (Ω):

    0.0096

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.0074

  • Qg @4.5V (nC):

    14.2

  • Qg @10V (nC):

    31.4

  • Qgs (nC):

    6.7

  • Qgd (nC):

    5.1

  • ID Max. (A):

    65

  • PD Max. (W):

    62.5

  • VGS(th) Min. (V):

    1.5

  • Rg Typ. (Ω):

    1.1

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