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TSTA7100	文件：150.3 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,875nm,GaAlAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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TSTA7100	文件：143.06 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,875nm,GaAlAs DESCRIPTION TSTA7100isaninfrared,875nmemittingdiodeinGaAlAs technologyinahermeticallysealedTO-18packagewith lens. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:TO-18 •Dimensions(inmm):∅4.7 •Peakwavelength:λp=875nm •Highreliability •Highradiantpower •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSTS7100	文件：149.75 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,950nm,GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSTS7100	文件：81.65 Kbytes Page：5 Pages	GaAsIREmittingDiodesinHermeticallySealedTO18Case Description TSTS710.seriesareinfraredemittingdiodesinstandardGaAstechnologyinahermeticallysealedTO–18package.Theirglasslensesprovideaveryhighradiantintensitywithoutexternaloptics. Features •Veryhighradiantintensity •Suitableforpulseoperation •Narrowan	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSTS7100	文件：143.23 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,950nm,GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSTS7100	文件：142.51 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,950nm,GaAs DESCRIPTION TSTS7100isaninfrared,950nmemittingdiodeinGaAs technologyinahermeticallysealedTO-18packagewith lens. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:TO-18 •Dimensions(inmm):∅4.7 •Peakwavelength:λp=950nm •Highreliability •Highradiantpower •Hi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TX7100	文件：668.64 Kbytes Page：2 Pages	IntelligentAddressableOpticalSmokeDetector FeaturesandBenefits •EN54-7:2000+A1:2002+A2:2006Compliance •LPCBApproved •Usingmicroprocessortechnologywith memorycapacityupto10events •Analoguesendinganddigitaladdressing •Providerealtimealgorithmtothecontrol panel •Smartlineardriftcompensation •Onsitea	TANDAUK TANDA UK Limited.	TANDAUK
U7100	文件：321.95 Kbytes Page：7 Pages	Designedspecificallyforhighvolumeapplications	TECTE Connectivity Ltd 泰科电子泰科电子有限公司	TEC
UCD7100	文件：1.12726 Mbytes Page：31 Pages	DigitalControlCompatibleSingleLow-Side4-AMOSFETDriverwithCurrentSense	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

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详细参数

型号：
SI7100DN
功能描述：
MOSFET 8.0V 35A 52W 3.5mohm @ 4.5V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SI7100DN供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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