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中天科工半导体(深圳)有限公司

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深圳市天芯威科技有限公司

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深圳市凯睿晟科技有限公司

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深圳市华来深电子有限公司

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SI6968BEDQ_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 2.5-V(G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

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SI6968BEDQ-T1功能描述:MOSFET 20V 6.5A 1.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6968BEDQ-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 6.5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6968BEDQ-T1-E3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CH 2.5-V(G-S) MOSFET COMMONDRAIN ESD

SI6968BEDQ-T1-GE3功能描述:MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 22mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube