| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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9年
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12年
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TSSOP-8 |
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15年
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VISHAY/威世MSOP8 |
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16年
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8年
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10年
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18年
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14年
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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4年
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新到现货,只做全新原装正品 |
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1年
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VISHAYSOP-8 |
12000 |
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原装,正品 |
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6年
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百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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1年
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13年
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SI6968BEDQ-T1-GE3价格:¥1.1986品牌:Vishay
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SI6968BEDQ-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI6968BEDQ制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 2.5-V(G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection
SI6968BEDQ_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 2.5-V(G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection
SI6968BEDQ_RC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:R-C Thermal Model Parameters
SI6968BEDQ-T1功能描述:MOSFET 20V 6.5A 1.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6968BEDQ-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 6.5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6968BEDQ-T1-E3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CH 2.5-V(G-S) MOSFET COMMONDRAIN ESD
SI6968BEDQ-T1-GE3功能描述:MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 22mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
































