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SI6926ADQ-T1-GE3中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
SI6926ADQ-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 30mohm @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
22+23+ |
MSOP8 |
19914 |
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询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
589610 |
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VISHAY |
TSSOP8 |
63097 |
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询价 | |||
Vishay/Siliconix |
07+/08+ |
8-TSSOP |
7500 |
询价 | |||
VISHAY |
2020+ |
TSSOP8 |
80000 |
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询价 | ||
SILICONIXVISHAY |
2022+ |
NA |
8600 |
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Vishay Siliconix |
2022+ |
8-TSSOP |
38550 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
TSSOP-8 |
18000 |
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Vishay Siliconix |
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8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽) |
9350 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TSSOP8 |
8160 |
原厂原装 |
询价 |
