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SI6433DQ	文件：137.81 Kbytes Page：5 Pages	20V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description This P-Channel 1.8V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Features • –4.5 A, –20 V. 文件：137.81 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
SI6433BDQ	文件：221.1 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 文件：221.1 Kbytes 页数：3 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI6433BDQ	文件：100.97 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 文件：100.97 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI6433BDQ	文件：209.93 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 文件：209.93 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI6433BDQ_08	文件：100.97 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 文件：100.97 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI6433BDQ-T1-GE3	文件：209.93 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 文件：209.93 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
Si6433BDQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET	Vishay 威世	Vishay
SI6433DQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V P-Channel PowerTrench MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
SI6433
功能描述：
MOSFET 20V/8V P-Ch MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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