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深圳市莱克讯科技有限公司

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SI6433BDQ-T1-E3

VISHAYSOP@

6800

最新

全新原装公司现货低价

深圳市创新迹电子有限公司

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VISHAY/威世TSSOP8

9000

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原装现货,随时欢迎询价

深圳市新力诚科技有限公司

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VISHAY/威世SOP

2000

2021+

代理品牌,全新原装现货低价!

深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)TSSOP-8

9555

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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市博浩通科技有限公司

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VISHAYTSSOP8

12000

23+

原装现货特价热销

深圳市亿智腾科技有限公司

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VISHAY/威世SOP

5800

2021+

原装现货/15年行业经验欢迎询价

深圳市湘达电子科技有限公司

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VISHAY/威世SOP

120

2022+

只做进口原装正品现货,开13%增值税票!

深圳市恒创达实业有限公司

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VISHAYSOP

6200

17+

100%原装正品现货

深圳市卓越微芯电子有限公司

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VISHAYTSSOP8

18600

2020+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市科恒伟业电子有限公司

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7500

22+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市达恩科技有限公司

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VISHAY/威世SOP

120

1201

全部原装现货优势产品

深圳市九方航科技有限公司

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VISHAY/威世

1201

120

SOP

深圳市珩瑞科技有限公司

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VISHAY/威世TSSOP8

6000

21+

原装正品

深圳市恒意法电子有限公司

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VISHAYMSOP8

3000

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专营原装正品现货,当天发货,可开发票!

深圳市一线半导体有限公司

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自己现货

深圳市一线半导体有限公司

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VIHSAY/SILICONIXSOP-8

6400

2008++

新进库存/原装

深圳市坤融电子科技有限公司

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VISHAY/威世TSSOP8

8950

2024+原装现货

BOM配单专家,发货快,价格低

深圳市科恒伟业电子有限公司

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VISHAY/威世TSSOP-8

9800

22+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市诚利顺电子科技有限公司

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VISHAY/威世SOP

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十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!

深圳市赛能新源半导体有限公司

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SITSSOP-8

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生产厂家品牌为Vishay的SI6433BDQ-T1-GE3多少钱,想知道SI6433BDQ-T1-GE3价格是多少?参考价:¥2.3139。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI6433BDQ-T1-GE3批发价格及采购报价,SI6433BDQ-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI6433BDQ-T1-GE3报价。

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SI6433DQ-T1 深圳市多凯达科技有限公司

SI6433DQ-T1品牌:SILICONI封装:MSOP8批号:08+数量:1017PCS说明:全新原装,公司现货,特价销售!肖先生158186433550755-82709997

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SI6433BDQ制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V(G-S) MOSFET

SI6433BDQ_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V(G-S) MOSFET

SI6433BDQ-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 4.8A 1.5W 40mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6433BDQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 4.8A 1.5W 40mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6433DQ功能描述:MOSFET 20V/8V P-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6433DQT1制造商:SILICONIX 功能描述:*

SI6433DQ-T1功能描述:MOSFET 12V 4A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube