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SI5999EDU | Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET S1 FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • New Thermally Enhanced PowerPAK® ChipFET® Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance - Thin 0.8 mm Profile • Typical ESD Performance 1500 V in HBM • Compliant to RoHS Directive 2002/95/ 文件：168.84 Kbytes 页数：9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
SI5999EDU | Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：168.11 Kbytes 页数：9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET S1 FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • New Thermally Enhanced PowerPAK® ChipFET® Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance - Thin 0.8 mm Profile • Typical ESD Performance 1500 V in HBM • Compliant to RoHS Directive 2002/95/ 文件：168.84 Kbytes 页数：9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Si5999EDU | Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET | Vishay 威世 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SI5999EDU
- 功能描述：
MOSFET 20V 6A DUAL P-CH MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
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