选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
VISHAY/威世12068 |
7906200 |
|||||
|
深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
|
VISHAY/威世1206-8 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
|
深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
|
VISHAY原厂封装 |
35000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
|||
|
深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
|
Vishay05+ |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
VISHAY |
5000 |
有部份现货 |
||||
|
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
|
VISHAYMLP-8 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
|||
|
贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世1206-8ChipFET |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
|
深圳市芯诚实创科技有限公司2年
留言
|
VISHAY1206-8 |
2839 |
02+ |
||||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
|
VISHA1206-8 |
98215 |
1742+ |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
|||
|
深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
|
VISHAY1206-8C |
3000 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
|
中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
|
VISHAY1206-8ChipF |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世NA/ |
24250 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
|
标准国际(香港)有限公司16年
留言
|
SI5903DC-T12226 |
2226 |
|||||
|
深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
|
VISHAYSOT |
5280 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
|||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
VISHAY-威世1206-8 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
|
VISHAY/威世1206-8 |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
|
深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世MLP-8 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
Vishay Siliconix12068 ChipFET? |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
3000 |
自己现货 |
|||||
|
深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
|
VISHAYLEADFREE |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
SI5903DC采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI5903DC图片
SI5903DC-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI5903DC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 2.5-V(G-S) MOSFET
SI5903DC_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 2.5-V(G-S) MOSFET
SI5903DC-T1功能描述:MOSFET 20V 2.9A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5903DC-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 2.9A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5903DC-T1-E3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL P-CH 2.5V(G-S) RATED MOSFET
SI5903DC-T1-GE3功能描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
SI5903DC-T3制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 2.1A 8PIN CHIPFET - Tape and Reel