| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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SIPUSEMIQFN3X2-8L |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAY1206-8 |
42000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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VISHAY1206-8 |
23100 |
2019 |
原装正品钻石品质假一赔十 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOT23-8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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VISHAY进口原装 |
8811 |
23+ |
全新原装热卖/假一罚十!更多数量可订货 |
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绿盛电子(香港)有限公司5年
留言
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VISHAYMLP8 |
16998 |
2013+ |
专业代理P-MOS管 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23-8 |
1390 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOP-8 |
9035 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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VISHAY1206-8 |
3265 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23-8 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世12068 |
7906200 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世MLP-8 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYQR |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世ST23-8 |
3013 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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VISHAYSOT23-8 |
12000 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAYMLP8-1206 |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAY1206-8CHI |
362153 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
SI5853采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI5853图片
SI5853DC价格
SI5853DC价格：￥1.1700品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI5853DC多少钱，想知道SI5853DC价格是多少？参考价：￥1.1700。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI5853DC批发价格及采购报价，SI5853DC销售排行榜及行情走势，SI5853DC报价。
SI5853DDC-T1-E3资讯
SI5853DC-T1-E3 MOS晶体管 P通道 SI5853DC-T1-E3 厂家直销 VISHAY 原装进口
MOSFETP-CH20V2.7A1206-8P通道场效应管
SI5853DDC-T1-E3代理,有原装现货的,期待您的咨询 VISHAY代理 SOT23-8
SI5853DDC-T1-E3代理,有原装现货的,期待您的咨询VISHAY代理SOT23-8
SI5853DDC-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI5853CDC-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.0A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5853DC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V(G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5853DC-T1功能描述:MOSFET 20V 3.6A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5853DC-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 3.6A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5853DDC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V(D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI5853DDC-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.0A 3.1W 105mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
