| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
3年
留言
|
SIPUSEMIQFN3X2-8L |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
||||
|
6年
留言
|
1909VISHAY/威世 |
7 |
12068F |
92 |
|||
|
4年
留言
|
VISHAYSOT23-8 |
7850 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
|
12年
留言
|
VISHAYSOP-8 |
9035 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
|||
|
8年
留言
|
VISHAYQR |
9800 |
24+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
|||
|
7年
留言
|
VISHAY/威世SOT23-8 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
|||
|
13年
留言
|
VISHAYSOT23-8 |
12000 |
24+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
|||
|
3年
留言
|
VISHAY |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
|||
|
5年
留言
|
VISHAY/威世SOP-8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
12年
留言
|
VISHAYSOT23-8 |
18600 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
|
5年
留言
|
VISHAY25+ |
15258 |
SOT23-8 |
原装现货库存QQ:373621633 3616872778 |
|||
|
13年
留言
|
VISHAY1206-8 |
42000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
|
7年
留言
|
VISHAY/威世QFN-8 |
2850 |
1012+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
15年
留言
|
SipusemiQFN3X2-8L |
32598 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
|
VISHAY/威世LMP-8 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
|
8年
留言
|
DFN |
30000 |
24+ |
全新原装正品现货/长期大量供货!! |
|||
|
9年
留言
|
VISHAYMLP8 |
7720 |
10+ |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
|||
|
10年
留言
|
Sipusemi原厂原封装 |
86720 |
26+ |
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百 |
|||
|
14年
留言
|
VISHAY/威世LMP-8 |
362652 |
24+ |
电源IC原装正品有优势 |
SI5853采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI5853图片
SI5853DC价格
SI5853DC价格:¥1.1700品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI5853DC多少钱,想知道SI5853DC价格是多少?参考价:¥1.1700。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI5853DC批发价格及采购报价,SI5853DC销售排行榜及行情走势,SI5853DC报价。
SI5853资讯
SI5853DC-T1-E3 MOS晶体管 P通道 SI5853DC-T1-E3 厂家直销 VISHAY 原装进口
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 P通道 场效应管
SI5853DDC-T1-E3代理,有原装现货的,期待您的咨询 VISHAY代理 SOT23-8
SI5853DDC-T1-E3代理,有原装现货的,期待您的咨询 VISHAY代理 SOT23-8
SI5853中文资料Alldatasheet PDF
更多SI5853CDC-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.0A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5853DC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V(G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5853DC-T1功能描述:MOSFET 20V 3.6A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5853DC-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 3.6A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5853DDC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V(D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI5853DDC-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.0A 3.1W 105mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube





























