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SI5504BDC-T1-E3中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
SI5504BDC-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 30V 4.0/3.7A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
2511 |
N/A |
11800 |
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VISHAY |
1233+ |
SOT23-8 |
197 |
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Vishay(威世) |
2021/2022+ |
标准封装 |
6500 |
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Vishay Siliconix |
2025+ |
1206-8 |
56303 |
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VISHAY(威世) |
24+ |
ChipFET1206-8 |
9908 |
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VISHAY/威世 |
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1206-8CHIPFET |
25000 |
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VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
SOT23-8 |
60000 |
全新原装现货 |
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VISHAY |
2246/2244+ |
SOT23-8 |
7822 |
全新、原装 |
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Vishay(威世) |
2249+ |
1206-ChipFET-8 |
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