| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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17年
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VIS |
3000 |
24+ |
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5年
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Vishay SiliconixPowerPAK? ChipFET? Single |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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5年
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Vishay SiliconixPowerPAK? ChipFET? Single |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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6年
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VISHAYDFN |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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6年
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VISHAYDFN |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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17年
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VISHAYQFN |
3000 |
24+ |
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5年
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Vishay SiliconixPowerPAK? ChipFET? Single |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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5年
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Vishay SiliconixPowerPAK? ChipFET? Single |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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6年
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VISHAYDFN |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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6年
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VISHAYDFN |
3000 |
25+ |
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SI5482DU图片
SI5482DU-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI5482DU-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 12A 31W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5482DU-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 12A 31W 15mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube


















