Si5480DU数据手册Vishay中文资料规格书
技术参数
- 型号:
SI5480DU
- 功能描述:
MOSFET 30V 12A 31W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
18250 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
QFN |
50000 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
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VISHAY/威世 |
23+ |
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VISHAY |
QFN |
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VISHAY |
23+ |
QFN8 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
QFN |
50000 |
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VISHAY |
23+ |
QFN8 |
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Vishay Siliconix |
22+ |
PowerPAK? ChipFET? Single |
9000 |
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VISHAY |
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QFN |
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