Si5479DU数据手册Vishay中文资料规格书
技术参数
- 型号：
SI5479DU
- 功能描述：
MOSFET 12V 16.9A 17.8W 21mohm @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+ |
QFN |
1325 |
只做原装进口!正品支持实单! |
询价 | ||
VISHAY |
QFN |
53650 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
Vishay Siliconix |
2022+ |
PowerPAK? CHIPFET? 单 |
38550 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN |
11200 |
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询价 | ||
VISHAY |
2016+ |
QFN |
6523 |
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询价 | ||
VISHAY |
24+ |
QFN |
35200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
QFN8 |
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VISHAY |
23+ |
QFN8 |
12800 |
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询价 | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
PowerPAK? ChipFET? Single |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
SOT23-8 |
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