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详细参数
- 型号：
SI5433DC-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 20V 6.7A 2.5W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
ChipFET |
19506 |
VISHAY/威世原装特价Si5433DC-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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VISHAY |
24+ |
MLP-8 |
6232 |
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VISHAY |
25+ |
DFN |
2987 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
CHIP8L |
9600 |
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VISHAY |
23+ |
1206A-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
ChipFET |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
ChipFET |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
原厂 |
2021+ |
60000 |
原装现货，欢迎询价 |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
22+ |
ChipFET |
25000 |
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VISHAY |
25+ |
ChipFET |
2884 |
询价 |
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更新时间2026-1-29 14:14:00
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