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SI5403DC-T1-GE3

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SI5403DC-T1-GE3

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SI5402DC-T1-E3

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SI5402DC-T1

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SI5406DC-T1-GE3

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SI5402BDC价格：￥1.3000品牌：VISHAY

生产厂家品牌为VISHAY的SI5402BDC多少钱，想知道SI5402BDC价格是多少？参考价：￥1.3000。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI5402BDC批发价格及采购报价，SI5402BDC销售排行榜及行情走势，SI5402BDC报价。

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SI5401DC-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 7.1A 2.5W 32mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI5402BDC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET

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SI5402BDC-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 6.7A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI5402BDC-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI5402DC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET

SI5402DC-T1功能描述:MOSFET 30V 6.7A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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