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详细参数
- 型号：
SI5402DC-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 30V 6.7A 2.5W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2016+ |
1206-8 |
4000 |
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ON |
23+ |
QFN16 |
5000 |
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询价 | ||
VIS |
24+ |
3000 |
询价 | ||||
VISHAY |
24+ |
DFN |
6232 |
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VISHAY |
06+ |
SOT323-8 |
831 |
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VISHAY |
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1206-8 |
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VISHAY |
19+ |
1206-8 |
20000 |
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24+ |
1206-8 |
20000 |
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VISHAY |
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1206-8 |
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更新时间2025-12-17 15:35:00
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- SMA18-1S
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- SR0303-0320L-01
- SR030-FFM
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- SR031-FFMFF
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