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Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Ordering Information: Si4966DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free) Si4966DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) 文件:180.14 Kbytes 页数:7 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Ordering Information: Si4966DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free) Si4966DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) 文件:180.14 Kbytes 页数:7 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 文件:52.79 Kbytes 页数:4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件:985.82 Kbytes 页数:7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
20-V (D-S) Dual | Vishay 威世 | Vishay |
详细参数
- 型号:
SI4966
- 功能描述:
MOSFET 20V 7.1A 2W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
05/06+ |
SOP8 |
175 |
全新原装100真实现货供应 |
询价 | ||
SIL |
24+/25+ |
300 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
24+ |
SOP |
100 |
询价 | ||||
VISHAY |
24+ |
SOP-8 |
6868 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
SOP |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
VISHAY |
2004 |
SOP-8 |
49 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
询价 | ||
SI |
25+ |
8P |
2987 |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
询价 | ||
SILICONIX |
23+ |
NA |
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专做原装正品,假一罚百! |
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VISHAY |
25+ |
SOP-8 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
询价 | ||
SILICONIX |
25+ |
SOP3.9 |
390 |
现货 |
询价 |
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