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深圳市凯睿晟科技有限公司

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深圳市恒达亿科技有限公司

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深圳市中联芯电子有限公司

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深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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SI4966DY-T1-E3价格：￥4.9227品牌：Vishay

生产厂家品牌为Vishay的SI4966DY-T1-E3多少钱，想知道SI4966DY-T1-E3价格是多少？参考价：￥4.9227。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4966DY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4966DY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4966DY-T1-E3报价。

SI4966DY-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF

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SI4966DY功能描述:MOSFET 20V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4966DY-E3功能描述:MOSFET 20V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4966DY-T1功能描述:MOSFET 20V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4966DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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