选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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VISHAYSOP-8 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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onsemi(安森美)SOP-8 |
7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
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VISHAYSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
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VISHAYSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世SOIC-8 |
21087 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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VISHAY/威世SOP8 |
3470 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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VISHAYSOP8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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VISHAY原现SOP-8 |
6900 |
2138+ |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
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SHARPSOP8 |
257000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司3年
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VISHAY/威世SOP-8 |
12000 |
23+ |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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VISHAYSOP8 |
22500 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
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VISHAYSOP8 |
3665 |
23+ |
绝对现货库存 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世SMD-8 |
5250 |
23+ |
百分百进口原装环保整盘 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
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SISOP8 |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOP8 |
3587 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
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SISOP8P |
3000 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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SISOP8P |
7500 |
22+ |
十年品牌!原装现货!!! |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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SISOP8P |
5040 |
23+ |
SI4963采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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SI4963BDY-T1-E3价格
SI4963BDY-T1-E3价格:¥2.7653品牌:Vishay
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SI4963DY/BDY
SI4963DY/BDY绝对原装进口现货可开17%增值税发票
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SI4963BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 6.5A 2.0W 32mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4963DY功能描述:MOSFET Dual PCh 20V 240a RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4963DY-E3功能描述:MOSFET 20V 6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4963DY-T1功能描述:MOSFET 20V 6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4963DY-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube