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SI4936ADY-TP	文件：2.19903 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4936；Package：SOP-8；‘Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES \| ® Roson =35 MO@VGS=10v \| @ Rosin =45 m0 @VGS=4.5V \| ‘@ Super high density cell design for extremely low Ros(oN) @ Exception! anesistance and maximum OC cunt \| capabity \| 文件：2.19903 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
SI4936BDY	文件：244.03 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：244.03 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4936BDY	文件：175.18 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Low Current DC/DC Conversion • Notebook System Power Ordering Information: Si4936BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free) Si4936BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free 文件：175.18 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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更多SI4936ADY-TP供应商更新时间2026-1-28 14:34:00