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SI4922BDY-T1-GE3

VISHAY(威世)SOP-8

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VISHAY/威世SOP8

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SI4922DY-T1-E3

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VISHAY/威世SOP-8

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SI4922BDY-T1-E3

Siliconix / Vishay

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VISHAY/威世SOP8

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深圳市威尔健半导体有限公司

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SI4922BDY-T1-E3

Vishay(威世)NA

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深圳市科芯源微电子有限公司

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VISHAY/威世SOP-8

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SI4922DY-T1-E3

VISHAYSOP8

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深圳市华睿芯科技有限公司

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深圳市星佑电子有限公司

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VISHAY/威世SOP8

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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Vishay Siliconix8SO

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VISHAY/威世SOP-8

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千层芯半导体(深圳)有限公司

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SI4922DY-T1-E3

SILICONIXSO-8

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深圳市英卓尔科技有限公司

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SI4922DY-T1-E3

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SI4922BDY-T1-E3价格

SI4922BDY-T1-E3价格：￥3.2790品牌：Vishay

生产厂家品牌为Vishay的SI4922BDY-T1-E3多少钱，想知道SI4922BDY-T1-E3价格是多少？参考价：￥3.2790。这里提供2025年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4922BDY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4922BDY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4922BDY-T1-E3报价。

SI4922DY-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF

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SI4922BDY-T1-E3功能描述:MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4922BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 8.0A 3.1W 16mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4922DY功能描述:MOSFET 30V 12A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4922DY-E3功能描述:MOSFET 30V 12A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4922DY-T1功能描述:MOSFET 30V 12A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4922DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 12A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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