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SI4900DY-T1-E3

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:1.08901 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI4904DY-T1-E3

SOP-8

VISHAY/威世

SI4925DDY-T1-GE3

SOP-8

VISHAY/威世

SI4947ADY-T1-E3

SOP-8

VISHAY/威世

SI-50246-F

激光封装

LINK-PP

上传:连普电子有限公司

LINK-PP

详细参数

  • 型号:

    SI4900DY-T1

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 5.3A 3.1W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI4900DY-T1供应商 更新时间2025-11-14 19:34:00