| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
10年
留言
|
Vishay(威世)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货,欢迎咨询 |
|||
|
10年
留言
|
VISHAYSOP8 |
45000 |
25+ |
普通 |
|||
|
5年
留言
|
SISOP-8 |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
|||
|
6年
留言
|
SISOP-8 |
670 |
23+ |
||||
|
9年
留言
|
VISHAY/SILICONIXNA |
8800 |
16+ |
原装现货,货真价优 |
|||
|
6年
留言
|
VISHAYSOP-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
6年
留言
|
SISOP-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
13年
留言
|
Vishay(威世)NA |
20094 |
23+ |
|
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
||
|
17年
留言
|
VISHAY/威世XILINX/赛灵思 |
30000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
|||
|
3年
留言
|
VISHAYSOP-8 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保证 |
|||
|
VISHASOP |
28080 |
23+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
||||
|
8年
留言
|
VISHAY/威世SOP8 |
3500 |
23+ |
||||
|
1年
留言
|
VISHAY/威世SOP-8 |
3982 |
10+ |
全新原装现货,有单必成交 |
|||
|
3年
留言
|
VISHAY/威世SOP8 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
|||
|
16年
留言
|
VISHAYSOP |
3525 |
2025+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
|
3年
留言
|
Vishay / Siliconix |
8 |
05+ |
优势货源原装正品 |
|||
|
7年
留言
|
VISHAYSOP-8 |
543 |
10+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
16年
留言
|
VISHAY原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
|
17年
留言
|
VISHAY |
5000 |
24+ |
有部份现货 |
|||
|
16年
留言
|
VISHAYSOP-8 |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
SI4866DY采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI4866DY图片
SI4866DY-T1-E3价格
SI4866DY-T1-E3价格:¥6.0785品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4866DY-T1-E3多少钱,想知道SI4866DY-T1-E3价格是多少?参考价:¥6.0785。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4866DY-T1-E3批发价格及采购报价,SI4866DY-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI4866DY-T1-E3报价。
SI4866DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4866DY功能描述:MOSFET N-Ch 12 Volt 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4866DY-E3制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 12V 11A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:NP
SI4866DY-T1功能描述:MOSFET 12V 17A 1.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4866DY-T1-E3功能描述:MOSFET 12 Volt 11 Amp 3.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4866DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 17A 3.0W 5.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube































