| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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VISHAYSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳兆威电子有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP |
90000 |
23+ |
只做原装 ！全系列供应可长期供货稳定价格优势！ |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
59709 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
35680 |
23+ |
只做进口原装QQ:373621633 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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SISOP8 |
8689 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SI |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISHAY11/SIP |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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SISOP8 |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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SILICONIXNA |
3230 |
23+ |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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SISOP8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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SISOP8 |
12580 |
24+23+ |
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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SISOP8 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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SISOP8 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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SINA/ |
8685 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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SISOP8 |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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SIEMENSSOP8 |
3565 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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SISOP8 |
8685 |
23+ |
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深圳市益百分电子有限公司12年
留言
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SI04+ |
10012 |
SOP8 |
全新原装进口自己库存优势 |
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上海专毅电子科技有限公司5年
留言
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SISOP8 |
9988 |
17+ |
只做原装进口,自己库存 |
SI4866DY-T1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4866DY-T1图片
SI4866DY-T1-E3价格
SI4866DY-T1-E3价格：￥6.0785品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4866DY-T1-E3多少钱，想知道SI4866DY-T1-E3价格是多少？参考价：￥6.0785。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4866DY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4866DY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4866DY-T1-E3报价。
SI4866DY-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4866DY-T1功能描述:MOSFET 12V 17A 1.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4866DY-T1-E3功能描述:MOSFET 12 Volt 11 Amp 3.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4866DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 17A 3.0W 5.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
